第1章輝光放電質(zhì)譜基本原理1
1.1引言1
1.2輝光放電離子源1
1.2.1輝光放電2
1.2.2直流輝光放電離子源2
1.2.3射頻輝光放電離子源5
1.3離子化9
1.4離子的分離與檢測10
1.4.1離子的分離10
1.4.2離子的檢測13
1.5分析與應(yīng)用13
1.5.1定性分析13
1.5.2定量分析14
1.5.2.1單元素基體樣品的定量分析14
1.5.2.2多元素基體樣品的定量分析19
1.5.2.3使用校正曲線的定量分析21
1.5.3深度剖析和二維成像23
1.6質(zhì)量分辨率和豐度靈敏度24
1.6.1質(zhì)量分辨率24
1.6.2豐度靈敏度26
1.7檢測限和靈敏度26
1.7.1檢測限26
1.7.2靈敏度27
1.8放電氣體27
1.9信號增強30
1.9.1脈沖輝光放電離子源30
1.9.2磁場增強30
1.9.3微波增強31
1.10冷阱32
1.11數(shù)學(xué)模擬33
參考文獻33
第2章輝光放電質(zhì)譜儀器38
2.1引言38
2.2離子源39
2.2.1直流源41
2.2.2射頻源42
2.2.3脈沖源43
2.3質(zhì)量分析器43
2.4檢測器45
2.5輔助系統(tǒng)45
2.5.1真空系統(tǒng)45
2.5.2高電壓單元46
2.5.3烘烤系統(tǒng)46
2.5.4離子源控制單元47
參考文獻47
第3章輝光放電質(zhì)譜分析與特點48
3.1引言48
3.2輝光放電質(zhì)譜儀器放電條件的優(yōu)化48
3.2.1放電電壓與電流49
3.2.2射頻功率49
3.2.3放電氣體壓力52
3.2.4預(yù)濺射時間53
3.2.5樣品厚度53
3.3輝光放電質(zhì)譜儀器分析參數(shù)的設(shè)定54
3.3.1磁場與質(zhì)量校正54
3.3.2分辨率的優(yōu)化與選擇55
3.3.3積分時間設(shè)定56
3.4重現(xiàn)性56
3.4.1輝光質(zhì)譜分析內(nèi)部重現(xiàn)性56
3.4.2輝光質(zhì)譜分析外部重現(xiàn)性56
3.5GDMS分析特點56
3.6質(zhì)譜干擾與消除63
3.6.1提高放電氣體純度64
3.6.2更換放電氣體64
3.6.3采用冷阱65
3.6.4選用合適的同位素65
3.6.5提高質(zhì)量分辨率65
3.6.6運用碰撞誘導(dǎo)解離66
參考文獻66
第4章輝光放電質(zhì)譜分析的樣品制備方法69
4.1引言69
4.2金屬及半導(dǎo)體材料制樣方法71
4.3非導(dǎo)體材料制樣方法73
4.3.1混合法74
4.3.1.1機械滾壓法74
4.3.1.2壓片法75
4.3.1.3壓力滲透法78
4.3.2第二陰極法80
4.3.3嫁接法82
4.3.4表面涂覆金屬膜法83
4.3.5鉭槽法85
4.3.6射頻輝光放電質(zhì)譜的樣品處理方法87
參考文獻87
第5章輝光放電質(zhì)譜深度剖析90
5.1引言90
5.2基本原理92
5.3depthprofile定量研究93
5.4深度分辨率95
5.5濺射坑形貌96
5.5.1放電功率對濺射坑形貌的影響96
5.5.2放電氣壓對濺射坑形貌的影響99
5.5.3其他實驗參數(shù)對濺射坑形貌的影響101
5.6GDMS深度剖析的應(yīng)用101
5.6.1金屬表面或涂層深度剖析應(yīng)用101
5.6.2非導(dǎo)體材料表面或涂層深度剖析應(yīng)用103
5.6.3半導(dǎo)體表面或涂層深度剖析應(yīng)用104
參考文獻107
